Nouvelle mémoire 3D d'intel : la prochaine évolution du stockage de données ?

Intel et Micron ont dévoilé un nouveau type de mémoire non volatile lors d'une conférence de presse Mardi dernier. Cette nouvelle technologie baptisée "3D X Point' affiche des performances particulièrement alléchantes et pourrait constituer une nouvelle évolution dans le stockage des données après l'avènement du SSD et de la mémoire flash. 

Cette nouvelle puce n'est pas basée sur des transistors comme c'est le cas aujourd'hui pour la mémoire flash. L'innovation vient de l'utilisation de matériaux capables de modifier leur propriété physique et leur conductivité. Chaque cellule peut en effet moduler sa résistance électrique en fonction de la valeur binaire stockée. Ces données organisées en cellules sont superposées dans des couches croisées pour garantir une densité plus importante de stockage.

Le plus gros bénéfice en terme de performance vient de cette organisation "3D X point". Chaque cellule de stockage est accessible indépendamment des autres via cette matrice de points croisés en 3D qui accélère l'accès à l'information. Intel et Micron annoncent des latences de quelques nanosecondes soit bien plus rapides que les vitesses mesurées actuellement. Aucune date n'est encore annoncée officiellement mais cette nouvelle mémoire pourrait être commercialisé à "un coût abordable" à partir du troisième trimestre 2016. On attend avec impatience de tester et d'avoir des données concrètes sur les débits mesurés en lecture et en écriture.